Аннотации:
Розглянуто причини то механізми впливу структурних дефектів на параметри імпульсного діода. Наведено експериментальні результати дослідження впливу гетеруваиня, проведеного шляхом передокислювального високотемпературного відпалу пластин в атмосфері аргону, та параметри діодів. Показано, що пропонована технологія виготовлення структур Імпульсного діода дозволяє істотно зменшити іцічьність дефектів пакування в активних областях діодів, у результаті чого знижується рівень іворотпих струмів та зменшується розкид значень номінальноїємності діодів по площині пластини і, як наслідок, підвищується відсоток виходу придатних приладів.
