Покращення параметрів планарного імпульсного діода при використанні гетерування

Литвиненко, Віктор; Баганов, Євген; Вікулін, Іван; Горбачов, Віктор

dc.contributor.author	Литвиненко, Віктор
dc.contributor.author	Баганов, Євген
dc.contributor.author	Вікулін, Іван
dc.contributor.author	Горбачов, Віктор
dc.date.accessioned	2021-09-13T06:08:00Z
dc.date.available	2021-09-13T06:08:00Z
dc.date.issued	2021-05-17
dc.identifier.citation	Литвиненко В., Баганов Є., Вікулін І., Горбачов В. Покращення параметрів планарного імпульсного діода при використанні гетерування. Технологія та конструювання в електрон. апаратурі. 2021. № 3-4. С. 50-55.
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/123456789/6830
dc.description.abstract	Розглянуто причини то механізми впливу структурних дефектів на параметри імпульсного діода. Наведено експериментальні результати дослідження впливу гетеруваиня, проведеного шляхом передокислювального високотемпературного відпалу пластин в атмосфері аргону, та параметри діодів. Показано, що пропонована технологія виготовлення структур Імпульсного діода дозволяє істотно зменшити іцічьність дефектів пакування в активних областях діодів, у результаті чого знижується рівень іворотпих струмів та зменшується розкид значень номінальноїємності діодів по площині пластини і, як наслідок, підвищується відсоток виходу придатних приладів.	ru
dc.publisher	Державний університет "Одеська політехніка"
dc.subject	гетерування	ru
dc.subject	зворотний струм
dc.subject	намінальна ємність
dc.subject	діод
dc.subject	структурні дефекти
dc.subject	відпал
dc.subject	Кафедра будівництва
dc.title	Покращення параметрів планарного імпульсного діода при використанні гетерування	ru
dc.type	Article	ru