Аннотации:
В навчальному посібнику розглянута загальна теорія контакту метал-напівпровідник,
будова, фізичні основи роботи, параметри і характеристики діодів Шотткі та методи їх
виміру, проаналізовано залежність параметрів від різних технологічних факторів.
Обговорюються переваги та недоліки діодів Шотткі у порівнянні з діодами з р-n переходом.
Розглянуто технологічні маршрути виготовлення структур діодів Шотткі за планарно-
епітаксіальною і ізопланарною технологіями та проаналізовано основні проблеми, що
виникають при використанні даних технологій. Розглянуто та проаналізовано методи
покращення параметрів діодів Шотткі за рахунок використання операцій гетерування .
Також в навчальному посібнику розглянута теорія імпульсних діодів з р-n переходом.
Наведена фізика роботи імпульсного діода, технологія виготовлення та її проблеми, методи
підвищення швидкодії діодів. Розглянуто основні складові зворотного стуму діодів та
технологічні методи зниження його рівня . Наведені та проаналізовані основні методи
хімічної обробки поверхні р-n структур.
