Показати скорочений опис матеріалу
dc.contributor.author | Litvinova, M. | |
dc.contributor.author | Andrieieva, N. | |
dc.contributor.author | Zavodyannyi, V. | |
dc.contributor.author | Loi, S. | |
dc.contributor.author | Shtanko, O. | |
dc.date.accessioned | 2020-11-06T18:31:10Z | |
dc.date.available | 2020-11-06T18:31:10Z | |
dc.date.issued | 2019-12 | |
dc.identifier.citation | Litvinova, M., Andrieieva, N., Zavodyannyi, V., Loi, S., Shtanko, O. Application of multiple correlation analysis method to modeling the physical properties of crystals (on the example of gallium arsenide). Eastern-European journal of enterprise technologies. Vol. 6, №4 (102), 2019. p.39-45 https://doi.org/10.15587/1729-4061.2019.188512 | |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/4638 | |
dc.description.abstract | Застосування сучасних прикладних комп’ютерних програм розширює можливість проведення многокомпонетного статистичного аналізу в матеріалознавстві. В роботі розглянуто процедуру застосування методу множинного кореляційно-регресійного аналізу для дослідження і моделюван- ня багатофакторних зв’язків фізичних характерис- тик у кристалічних структурах. Розгляд здійснено на прикладі монокристалів нелегованого арсеніду галію. У виконаному статистичному аналізі був задіяний комплекс із семи фізичних характерис- тик, отриманих неруйнівними методами для кожної з 32 точок вздовж діаметра кристалічної пластини. Масив даних досліджувався методами множинного кореляційного аналізу. Була побудована розрахунко- ва модель регресійного аналізу. На її основі з викорис- танням програм Excel, STADIA і SPSS Statistics 17.0 проведено статистичну обробку даних і аналітич- не вивчення взаємозв’язків всіх характеристик. От- римано і проаналізовано регресійні співвідношення при визначенні концентрації фонової домішки вугле- цю, залишкових механічних напружень і концентрації фонової домішки кремнію. Була встановле- на можливість коректного проведення множинного статистичного аналізу для моделювання власти- востей кристала GaAs. Виявлено нові взаємозв’язки між параметра- ми кристала GaAs. Встановлено, що концентра- ція фонової домішки кремнію пов’язана з вакансій- ним складом кристала і значенням концентрації центів EL2. Також встановлено відсутність зв’язку концентрації кремнію з величиною залишкових меха- нічних напружень. Ці факти і термічні умови фор- мування точкових дефектів при вирощуванні моно- кристалів свідчать про відсутність перерозподілу фонових домішок в процесі охолодження кристала нелегованого GaAs. Використання методу множинного регресійно- го аналізу в матеріалознавстві дозволяє не тіль- ки моделювати багатофакторні зв’язки в бінарних кристалах, а й здійснювати стохастичне моделю- вання факторних систем змінного складу | ru |
dc.language.iso | en | ru |
dc.publisher | Eastern-European Journal of Enterprise Technologies | ru |
dc.subject | множинна регресія | |
dc.subject | арсенід галію | |
dc.subject | кристалічна структура | |
dc.subject | кореляційно-регресійний аналіз | ru |
dc.subject | Кафедра фізики та загальноінженерних дисциплін | ru |
dc.title | Application of multiple correlation analysis method to modeling the physical properties of crystals (on the example of gallium arsenide) | ru |
dc.type | Article | ru |