Abstract:
Застосування сучасних прикладних комп’ютерних
програм розширює можливість проведення многокомпонетного
статистичного аналізу в матеріалознавстві. В роботі розглянуто процедуру застосування методу множинного кореляційно-регресійного аналізу для дослідження і моделюван-
ня багатофакторних зв’язків фізичних характерис-
тик у кристалічних структурах. Розгляд здійснено
на прикладі монокристалів нелегованого арсеніду
галію. У виконаному статистичному аналізі був
задіяний комплекс із семи фізичних характерис-
тик, отриманих неруйнівними методами для кожної
з 32 точок вздовж діаметра кристалічної пластини.
Масив даних досліджувався методами множинного
кореляційного аналізу. Була побудована розрахунко-
ва модель регресійного аналізу. На її основі з викорис-
танням програм Excel, STADIA і SPSS Statistics 17.0
проведено статистичну обробку даних і аналітич-
не вивчення взаємозв’язків всіх характеристик. От-
римано і проаналізовано регресійні співвідношення
при визначенні концентрації фонової домішки вугле-
цю, залишкових механічних напружень і концентрації
фонової домішки кремнію. Була встановле-
на можливість коректного проведення множинного
статистичного аналізу для моделювання власти-
востей кристала GaAs.
Виявлено нові взаємозв’язки між параметра-
ми кристала GaAs. Встановлено, що концентра-
ція фонової домішки кремнію пов’язана з вакансій-
ним складом кристала і значенням концентрації
центів EL2. Також встановлено відсутність зв’язку
концентрації кремнію з величиною залишкових меха-
нічних напружень. Ці факти і термічні умови фор-
мування точкових дефектів при вирощуванні моно-
кристалів свідчать про відсутність перерозподілу
фонових домішок в процесі охолодження кристала
нелегованого GaAs.
Використання методу множинного регресійно-
го аналізу в матеріалознавстві дозволяє не тіль-
ки моделювати багатофакторні зв’язки в бінарних
кристалах, а й здійснювати стохастичне моделю-
вання факторних систем змінного складу
