dc.contributor.author |
Litvinova, M. |
|
dc.contributor.author |
Andrieieva, N. |
|
dc.contributor.author |
Zavodyannyi, V. |
|
dc.contributor.author |
Loi, S. |
|
dc.contributor.author |
Shtanko, O. |
|
dc.date.accessioned |
2020-11-06T18:31:10Z |
|
dc.date.available |
2020-11-06T18:31:10Z |
|
dc.date.issued |
2019-12 |
|
dc.identifier.citation |
Litvinova, M., Andrieieva, N., Zavodyannyi, V., Loi, S., Shtanko, O.
Application of multiple correlation analysis method to modeling the physical properties of crystals (on the example of gallium arsenide). Eastern-European journal of enterprise technologies. Vol. 6, №4 (102), 2019. p.39-45 https://doi.org/10.15587/1729-4061.2019.188512 |
|
dc.identifier.uri |
http://hdl.handle.net/123456789/4638 |
|
dc.description.abstract |
Застосування сучасних прикладних комп’ютерних
програм розширює можливість проведення многокомпонетного
статистичного аналізу в матеріалознавстві. В роботі розглянуто процедуру застосування методу множинного кореляційно-регресійного аналізу для дослідження і моделюван-
ня багатофакторних зв’язків фізичних характерис-
тик у кристалічних структурах. Розгляд здійснено
на прикладі монокристалів нелегованого арсеніду
галію. У виконаному статистичному аналізі був
задіяний комплекс із семи фізичних характерис-
тик, отриманих неруйнівними методами для кожної
з 32 точок вздовж діаметра кристалічної пластини.
Масив даних досліджувався методами множинного
кореляційного аналізу. Була побудована розрахунко-
ва модель регресійного аналізу. На її основі з викорис-
танням програм Excel, STADIA і SPSS Statistics 17.0
проведено статистичну обробку даних і аналітич-
не вивчення взаємозв’язків всіх характеристик. От-
римано і проаналізовано регресійні співвідношення
при визначенні концентрації фонової домішки вугле-
цю, залишкових механічних напружень і концентрації
фонової домішки кремнію. Була встановле-
на можливість коректного проведення множинного
статистичного аналізу для моделювання власти-
востей кристала GaAs.
Виявлено нові взаємозв’язки між параметра-
ми кристала GaAs. Встановлено, що концентра-
ція фонової домішки кремнію пов’язана з вакансій-
ним складом кристала і значенням концентрації
центів EL2. Також встановлено відсутність зв’язку
концентрації кремнію з величиною залишкових меха-
нічних напружень. Ці факти і термічні умови фор-
мування точкових дефектів при вирощуванні моно-
кристалів свідчать про відсутність перерозподілу
фонових домішок в процесі охолодження кристала
нелегованого GaAs.
Використання методу множинного регресійно-
го аналізу в матеріалознавстві дозволяє не тіль-
ки моделювати багатофакторні зв’язки в бінарних
кристалах, а й здійснювати стохастичне моделю-
вання факторних систем змінного складу |
ru |
dc.language.iso |
en |
ru |
dc.publisher |
Eastern-European Journal of Enterprise Technologies |
ru |
dc.subject |
множинна регресія |
|
dc.subject |
арсенід галію |
|
dc.subject |
кристалічна структура |
|
dc.subject |
кореляційно-регресійний аналіз |
ru |
dc.subject |
Кафедра фізики та загальноінженерних дисциплін |
ru |
dc.title |
Application of multiple correlation analysis method to modeling the physical properties of crystals (on the example of gallium arsenide) |
ru |
dc.type |
Article |
ru |