Optimization of chemical surface treatment processes of p-n junctions in the production of silicon diodes

Abstract

A review and analysis of the influence of the surface on the reverse characteristics of p-n structures and the methods used to prevent this influence indicate the need to use methods of chemical surface treatment of semiconductor structures in the production of semiconductor devices and integrated circuits. The use of methods of chemical surface treatment of semiconductor device structures in serial production allows to significantly improve the functional characteristics of semiconductor devices and integrated circuits and increase their reliability. An etchant for photolithography on a layer of chalcogenide glass based on chromium trioxide and sulfuric acid has been developed. It is shown that the use of the etchant in the production of semiconductor diodes has allowed to significantly increase the yield of suitable devices. Огляд та аналіз впливу поверхні на зворотні характеристики p-n структур та методи, що використовуються для запобігання цьому впливу, свідчать про необхідність використання методів хімічної обробки поверхні напівпровідникових структур у виробництві напівпровідникових приладів та інтегральних схем. Використання методів хімічної обробки поверхні напівпровідникових приладових структур у серійному виробництві дозволяє значно покращити функціональні характеристики напівпровідникових приладів та інтегральних схем та підвищити їхню надійність. Розроблено травник для фотолітографії на шарі халькогенідного скла на основі триоксиду хрому та сірчаної кислоти. Показано, що використання травника у виробництві напівпровідникових діодів дозволило значно збільшити вихід придатних приладів.