Abstract:
Застосування розробленої технології виготовлення структур варикапів з використанням гетерування областю гетера, що створена на зворотній стороні кремнієвої пластини за допомогою дифузії фосфору, дозволяє очистити активні області діодів від зародків дефектів та небажаних домішок і запобігти утворенню в них структурних дефектів, що забезпечує суттєве зниження рівня зворотних струмів діодів і підвищення виходу придатних приладів. Проведення іонного легування варикапних структур фосфором через тонку плівку SiО2, отриману хімічним окисленням, та їх додатковий низькотемпературний відпал перед розгонкою фосфору в процесі формування зворотного градієнта концентрації фосфору в базі варикапу сприяють підвищенню рівномірності значень ємності варикапів за площиною пластини і, як слідство, дають можливість підвищити вихід придатних варикапних структур на контролі їх номінальної ємності.
